MOCVD加熱器部件
金屬有機物化學氣相沉積Metal Organic Chemical Vapor Deposition，即MOCVD，是制備混合半導體器件、金屬及金屬氧化物、金屬氮化物薄膜材料的一種芯片外延技術。在MOCVD系統中，晶體生長多在常壓或低壓狀態下，襯底溫度為500～1200℃。為了能夠生長出純凈、界面陡峭、一致性好的薄膜材料，MOCVD設備需要為化學反應提供合適的環境。加熱系統是 MOCVD 設備的重要組成部分，它能否快速、均勻的加熱襯底，直接影響著薄膜沉積的質量、厚度一致性，以及芯片的性能。
MOCVD加熱器的工況非常苛刻，要求連續工作時間長，溫度高、熱流密度大和反復的升降溫。電阻片是加熱器的核心部分，在通以一定的電流后電阻片發熱，成為整個設備的熱源。用于放置襯底的石墨盤表面溫度為1350K的時候，電阻片的溫度高達2000K，升溫過程中電阻加熱器的溫度可以達到2500℃以上，所以選用的材料必須有熔點高、高溫強度好、化學穩定性高等特性。
鎢、鉬、錸等難熔金屬材料具有耐高溫、低污染、優異的耐蠕變性能、較高的尺寸穩定性、膨脹系數低、可焊接性能等優勢，故常用做MOCVD加熱器的加熱絲、隔熱屏、導電板等零部件。
MOCVD加熱器所需零件包括錸片、錸條、錸棒、鉬錸合金絲、鉬錸合金棒、鉬錸合金片、鉬錸合金箔、鎢錸熱電偶絲、鎢錸合金絲、鎢錸合金棒、鎢錸合金棒或其他鎢鉬訂制品。
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