CVD設(shè)備用鎢加熱子
CVD設(shè)備用鎢加熱子指的是用于化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）設(shè)備中提供穩(wěn)定高溫熱場以實現(xiàn)半導體薄膜、光學薄膜及功能材料的沉積生長的電阻加熱元件。它采用高純度鎢絲或摻雜鎢絲經(jīng)過精密絞合、繞制、成型及表面處理工藝制成，應(yīng)用于半導體薄膜、生長涂層及功能材料制備等。
在CVD高溫反應(yīng)環(huán)境中，加熱元件的選擇直接影響沉積速率與膜層均勻性。中鎢智造生產(chǎn)的化學氣相沉積設(shè)備用鎢加熱子具有以下特性：
（1）耐高溫：熔點達3410℃，可在長時間高溫反應(yīng)中保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定；
（2）低污染：蒸氣壓低，在反應(yīng)氣氛中揮發(fā)少，有助于維持腔體潔凈度；
（3）熱穩(wěn)定：熱膨脹系數(shù)低，在升降溫循環(huán)中形變小，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性較好；
（4）加熱均勻：電阻特性穩(wěn)定，可形成連續(xù)輻射熱場，提高溫度一致性。
中鎢智造根據(jù)CVD設(shè)備結(jié)構(gòu)與工藝需求，提供多種鎢加熱子規(guī)格方案：
（1）材料：純鎢絲/摻雜鎢絲，如K、Si、Al摻雜體系
（2）絲徑：0.2mm~1.2mm，可定制
（3）結(jié)構(gòu)：單股/多股絞合，如2股、3股、4股、6股等
（4）形狀：駝峰型、漏斗型、線圈型、直條型、門型及定制異形結(jié)構(gòu)
鎢加熱子主要用于CVD設(shè)備反應(yīng)腔加熱系統(tǒng)，為硅基、碳基及金屬化合物薄膜生長提供穩(wěn)定熱環(huán)境，廣泛應(yīng)用于半導體外延生長、光學薄膜沉積、硬質(zhì)涂層及功能材料制備等工藝中。
中鎢智造深耕鎢加熱子領(lǐng)域30多年，可按照客戶腔體結(jié)構(gòu)、氣流分布及工藝溫度需求，對鎢絲直徑、摻雜類型、結(jié)構(gòu)形式、有效發(fā)熱長度及引線結(jié)構(gòu)進行系統(tǒng)優(yōu)化設(shè)計，并配合電解拋光或堿洗等表面處理工藝，實現(xiàn)從材料選型到結(jié)構(gòu)制造的定制化服務(wù)。
如有任何鎢加熱子的設(shè)計、生產(chǎn)、需求、詢價等問題，請聯(lián)系制造商：中鎢智造（廈門）科技有限公司
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